• 化学工程教授
  • 乔·m·内斯比特教授
郭悦的形象

学历

  • 哥伦比亚大学博士,1979年
  • 哥伦比亚大学硕士,1978年
  • 国立台湾大学学士,台北,台湾- 1974

研究兴趣

    • 对半导体材料、工艺和器件以及薄膜和等离子体技术有特殊兴趣的纳米和微电子学专业。
    • 新材料、新工艺和先进设备的最终目标是为当前和未来的应用创造高性能、高可靠性、可制造的设备。
    • 研究的器件有TFTs、ULSIC、si - led、太阳能电池、生物和光学传感器等。

奖励和荣誉

  • 电化学学会主席,2018-2019
  • 材料研究学会研究员,2019年
  • 2017年,日本科学促进会客座研究员
  • 国立交通大学名誉讲座教授,台湾新竹,2017
  • 2016年,美国真空学会会员
  • Gordon E.Moore固体科学技术杰出成就奖章,ECS,2015年。
  • 2015-2018年,电化学学会副会长
  • TEES Fellow,2015年
  • 持有道指教授职位
  • 德克萨斯农工大学系统创新奖,2014年。
  • 前学生协会和德州农工大学杰出研究成就奖,2012年。
  • 2007年电化学学会电子与光子学部奖。
  • IEEE电子器件学会杰出讲师,2007年至今。
  • 德州工程实验站研究员,2005年9月。
  • 德州实验工程站研究员(2015年5月)。
  • 1999年,电化学学会会员。
  • IEEE电子器件学会会员,1998年。
  • IBM外部荣誉奖、发明平台奖、研究部技术奖、10项奖,1987年至1997年。
  • > 200主题演讲,全体会议,并在国际会议,大学,研发中心应邀演讲。
  • 100位会议组织者、主席和联合主席。
  • 40政府、大学、专业协会的咨询、审查和规划委员会、委员会等
  • ECS J.固态Sci的封面文章。技术,2016年3月
  • 主旨演讲,第70届国际电化学学会年会,南非德班,2019年8月0日至9月9日。
  • 2014年12月15日在加利福尼亚州旧金山的IEDM会议上应邀发表论文
  • IEEE频谱技术新闻(12/23/2014)。http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/meet-themicroscopic-light-bulb
  • 在日本京都第22届有源矩阵平板显示器和设备国际研讨会上的全体演讲(2015年1月7日)。
  • 全体演讲,韩国电化学学会,秋季会议,韩国丽水(11/01/2018)。
  • 第26届“纳米结构:物理和技术”国际研讨会,白俄罗斯明斯克,2018年6月18日至22日。
  • Kenote演讲,国际电化学学会第22届专题会议,日本东京,2018年4月15日至18日
  • 2018年11月14日,中国上海交通大学展览研讨会全体演讲
  • 在中国南江中国物理学会和电化学学会第一届全球挑战国际半导体大会上的全体演讲(2017年7月19日)。
  • 2014年12月15日受邀在加州旧金山IEDM发表论文,并被IEEE频谱技术新闻(2014年12月23日)引用。http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/meet-the-microscopic-light-bulb
  • 截至2014年7月1日,这篇论文在ECS Transactions中被引用最多的固态文章排名第一。中国农业大学学报。2006 1(5):447-454;doi: 10.1149/1.2209294
  • 2018年4月15日至18日,日本东京,国际电化学学会第22届专题会议
  • J. Vac的封面文章。科学。抛光工艺。B, 2014年1月/ 2月。
  • 2013年10月15日,第七届中美化学工程大会半导体科学与技术研讨会主旨演讲,中国北京。
  • 纪念(全体会议)演讲,有源矩阵平板显示器和器件国际研讨会20周年,日本京都,2013年7月3日。
  • 2013年5月,J.Vac.Sci.Technol.B关于一种新型金属掺杂高钾薄膜的前20篇下载量最多的论文。
  • 一篇在Appl的研究重点论文。理论物理。Letts也。,February, 2013 on the new type of LED based on thin film metal oxides.
  • 在ECS翻译中被引用最多的文章中排名第1、4和29位。截至2012年12月。

精选出版物

  • 郭彦宏,编辑委员会,IOP J.物理学D:应用物理学,2016-
  • 郭勇,技术编辑,固体力学学报,2012-2015。
  • 郭勇,ECS Solid State Letters技术编辑,2012-2015。
  • 郭勇,副主编,电化学学报,2003-2012。
  • 郭彦宏,《电化学学会快报》副主编,2003-2012年。
  • 郭颖、古田敏,特邀编辑,薄膜晶体管的研究进展,电子学报,3(9),2014。
  • A. Flewitt, Y. Kuo, J. Jang,特约编辑,IEEE J.显示技术特刊,8(1),2012。
  • 郭元元主编,《第五届超大规模集成电路和薄膜晶体管的半导体技术》,67(1),电化学化学。Soc.,Pennington,2015年。
  • 郭彦宏主编,《超大规模集成电路和薄膜晶体管的第四代半导体技术》,54(1),电化学化学,Soc,Pennington,2013年。
  • 郭亚平,薄膜晶体管与超大规模集成电路之半导体技术研究,电子科技大学学报,37(1),353 - 356。Soc。,Pennington, 2011
  • 郭勇主编,薄膜晶体管技术,75(10),2016。
  • 郭勇主编,薄膜晶体管技术,64(1),电化学。Soc。,Pennington, 2014.
  • 郭彦宏,ECS Trans编辑。第11届薄膜晶体管技术,50(8),电化学化学。Soc.,Pennington,2012年。
  • 郭勇,编辑,薄膜晶体管技术,33(5),电化学。Soc。,Pennington, 2010.
  • Y.Kuo,编辑和合著者,多晶硅薄膜晶体管,Kluwer学术出版社,马萨诸塞州诺威尔,2004年。
  • 郭勇,《非晶硅薄膜晶体管》,编著与合著者,Kluwer学术出版社,Norwell, MA, 2004。
  • Zhang和Y.Kuo,“温度对纳米晶CdSe嵌入锆掺杂HfO2 MOS存储器件电荷存储和转移的影响”,ECS J.固态Sci。《技术》,第5(9)节,第231-38节(2016年)。内政部:10.1149/2.0231609jss
  • 刘磊,王勇,林镱锂,张欣,郭镱锂,田杰,“硅衬底上制备纳米尖峰的辅助结构:提高SSI- led发光强度的9倍,”半导体加工材料科学,93,226-230(2019)。
  • 郭勇,“薄膜晶体管技术进展”,2018第十四届IEEE国际会议。Conf. Solid-Satate和IC Technol。效果。,S 44-1, Oct. 31-Nov. 3, Qingdao, China (2018). ISBN: 978-1-5386-4439-3
  • M.Li*和Y.Kuo,“不同宽度和长度的等离子体蚀刻铜线的电迁移”,ECS Trans.,86(8),41-47(2018)。
  • 蒋志强,郭友国,张大川,蒋海川,“光源波长对具有源/漏至栅极偏置顶栅的双栅a-IGZO薄膜晶体管的影响”,ECS Trans.,86(11),147-152(2018)。
  • Zhang S. *和Y. Kuo,“zr掺杂HfO2高k薄膜中嵌入CdS对SSI-LED发光的增强,”纳米材料5,85(3),53-58(2018)。
  • 林志强和郭耀国,“将纳米晶硒化镉嵌入硅片上沉积的非晶态ZrHfO高k电介质薄膜中以增强发光”,ECS J.固态科学技术,5(3),Q75-Q80(2016)。封面文章(03/2016)。
  • 郭勇,特邀,“一种金属氧化物防熔合二极管装置”,电子学报。, 69(12) 23-29(2015)。
  • S. Zhang, Y. Kuo, S. Verkhoturov,“zr掺杂HfO2高k栅介质的si - leds的沉积后退火气氛效应”,电子学报。, 69(12), 17-22(2015)。
  • Y.Kuo,特邀,“通过在硅片上溅射沉积金属氧化物薄膜制备的新型固态白炽LED(SSI-LED)”,第13期ISSP Proc.,20-24(2015)。
  • 李德金,张善胜,董国荣,“基于有机发光二极管和非晶硅:氢光电二极管的高性能有机-无机混合光耦合器”,传感器和执行器a,236364-368(2015)。