- 电气与计算机工程荣誉教授
- 电话:979-845-7584
- 传真:979-845-6259
- 电子邮件:c-su4831@tamu.edu
- 办公室:网络205克
教育背景
- 布兰迪斯大学物理学博士- 1979年
研究兴趣
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- 表面等离子体共振(SPR)传感器用于生物检测:
- 多通道SPR
- 现场协助
- 利用矩阵技术计算SPR的公式
- 用于快速测量液体折射率的光纤比计
- 纳米粒子中的表面等离子体模
- 金-硅纳米壳(doc)
奖励与荣誉
- 1985年Leslie H. Warner技术成就奖
- 1991年，德克萨斯工程实验站研究员
- 1993年Haliburton卓越奖
选定的出版物
- 苏崇斌，“条纹几何二极管激光器中近场位移不稳定性驱动的扭结和非线性的解析解，”应用。《物理学》第52卷第2期，第2665-2673页，1981年。
- C. B. Su和R. Olshansky，“载流子寿命测量用于确定III-V型半导体光源的重组率和掺杂水平，”应用物理杂志。，第41卷第9期，第833-835页，1982年。
- J. Lee和C. B. Su，“n-和p-GaAs非抛物带结构的近弹道输运”，IEEE通讯电子器件，Vol. ED-29, No. 5, pp. 933-935, 1982。
- C. B. Su, J. Schlafer, J. Manning和R. Olshansky，“p型InGaAsP二极管激光器中辐射和俄歇复合速率的测量”，电子学报。，第18卷第14期，第595-596页，1982年。
- C. B. Su, J. Schlafer, J. Manning和R. Olshansky，“1.3微米InGaAsP激光与轻掺杂有源层的辐射重组系数和载流子泄漏的测量”，电子学报。，第18卷，第25/26号，第1108-1110页，1982。
- C. B. Su和R. Olshansky，“III-V型化合物半导体激光二极管阈值载流子密度的测量”，应用物理学报。，第43卷第9期，第856-858页，1983年。
- J. Manning, R. Olshansky, C. B. Su和W. Powazinik，“1.3微米InGaAsP发光二极管中载流子和晶格加热的测量”，应用。物理卷。，Vo. 43, No. 2, pp. 134-135, 1983.
- J. Manning, R. Olshansky和C. B. Su，“AlGaAs和1.3微米InGaAsP二极管激光器的载流子诱导指数变化”，IEEE J.量子电子。，第q -19卷，第1525页，1983年。
- C. B. Su, R. Olshansky, W. Powazinik和J. Manning，“1.3微米InGaAsP光源中有效双分子重组的异常温度依赖性和低T0的解释”，电子学报，ED-30卷，第1594页，1983。
- C. B. Su, R. Olshansky, J. Manning和W. Powazinik，“III-V半导体光源中辐射系数的载流子依赖性”，应用。物理卷。，Vol. 44, No. 8, pp. 732-734, 1984.