• 电气与计算机工程教授
  • 惠普企业公司讲座教授
谷歌学者简介
R.斯坦利·威廉姆斯

教育背景

  • 博士，物理化学，加州大学伯克利分校- 1978
  • 莱斯大学化学物理学士- 1974年

研究兴趣

    • 纳米级电子、离子和光子器件
    • 非线性动力学与混沌
    • 认知
    • 计算

奖励与荣誉

  • 2014年IEEE杰出工程经理(美国西部和加拿大)
  • 2012年EETIMES 40周年版十大电子梦想家
  • EETIMES年度电子创意(ACE)年度创新者奖，2009年
  • 格伦·t·西博格化学贡献奖章(加州大学洛杉矶分校，2007年)
  • Joel Birnbaum奖(HPL内部最高研究奖)，2005年
  • 赫尔曼·布洛赫工业研究奖章-芝加哥大学，2004年
  • 费曼纳米技术奖，2000年

选定的出版物

  • 1.S. Kumar, J. P. Strachan和R. S. Williams，用于模拟计算的纳米级NbO2 Mott忆阻器的混沌动力学。自然学报，2017,548,318-321。DOI: 10.1038 / nature23307
  • 2.K. M. Kim和R. S. Williams，完全级联逻辑的有状态忆阻器闸族。Ieee tcas-i(2019)。DOI: 10.1109 / TCSI.2019.2926811
  • 3.李春春，胡敏，李玉玉，姜海辉，葛楠，E. Montgomery, Dávila，李志忠，林培平，宋伟，王志忠，M. Barnell，吴强，R. S. Williams，杨俊杰，夏强，大型忆阻器交叉条模拟信号和图像处理。自然电子学报，2018,1,52。DOI: 10.1038 / s41928 - 017 - 0002 - z。
  • 4.王志强，王志强，蒋海龙，林培平，辛海龙，吴强，M. Barnell，胡敏敏，葛楠，J. P. Strachan，李志强，R. S. Williams，夏青，杨俊，神经形态计算中带有扩散松弛动力学的忆阻器。自然科学进展，2017,29(4):344 - 344。doi: 10.1038 / nmat4756
  • 5.M. D. Pickett, G. Medeiros-Ribeiro和R. S. Williams，用Mott忆阻器构建的可伸缩神经电阻。自然科学进展，2013,29(4):344 - 344。DOI: 10.1038 / nmat3510
  • 6.杨俊杰，M. D. Pickett, Li X.， D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart和R. S. Williams，金属-氧化物-金属纳米器件的记忆开关机制。《自然科学》2008,3,429-433。DOI: 10.1038 / nnano.2008.160
  • 7.D.斯特鲁科夫，G. S.斯奈德，D. R.斯图尔特和R. S.威廉姆斯，《丢失的忆阻器找到了》。自然杂志，2008,453,80-83。DOI: 10.1038 / nature06932
  • 8.J. R. Heath, P. J. Kuekes, G. S. Snider和R. S. Williams，容错计算机体系结构:纳米技术的机会。科学通报，1998,28(4):528 - 528。DOI: 10.1126 / science.280.5370.1716
  • 9.J. L. Borghetti, G. S. Snider, P. J. Kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart和R. S. Williams，记忆开关通过物质蕴涵实现有状态逻辑运算。自然学报，2010,454,873-876。DOI: 10.1038 / nature08940
  • 10.M. D. Pickett, D. B. Strukov, J. L. Borghetti, J. J. Yang, G. S. Snider, D. R. Stewart和R. S. Williams，二氧化钛记忆器件的开关动力学。j:。物理学报，2009,106,074508。DOI: 10.1063/1.3236506
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